蔡司Sigma
擁有高品質成像和先進顯微分析功能的FE-SEM
蔡司Sigma系(xi)列產(chan)品集場發射掃描電子顯微(wei)鏡（FE-SEM）技術與良好的(de)用(yong)戶(hu)體(ti)驗于一體(ti)，助(zhu)您輕松實現構建(jian)成(cheng)(cheng)像和分(fen)(fen)析程序(xu)，同時提(ti)高(gao)(gao)工(gong)作效率。您可(ke)以將其用(yong)于新材料和顆粒的(de)質(zhi)量(liang)監測，或(huo)研究生物和地(di)質(zhi)樣本。Sigma可(ke)實現高(gao)(gao)分(fen)(fen)辨(bian)率成(cheng)(cheng)像，它采用(yong)低電壓(ya)，能在1 kV或(huo)更(geng)低電壓(ya)下實現更(geng)高(gao)(gao)的(de)分(fen)(fen)辨(bian)率和對(dui)比度。它出(chu)色的(de)EDS幾何學設計可(ke)執(zhi)行高(gao)(gao)級顯微(wei)分(fen)(fen)析，以兩倍(bei)的(de)速(su)度和更(geng)高(gao)(gao)的(de)精度獲(huo)取分(fen)(fen)析數(shu)據。
使用Sigma系列，暢游高端納米分析(xi)世界。
Sigma 360是一款直觀的成像(xiang)和分析FE-SEM，是分析測試平臺的合適之選(xuan)。
Sigma 560采用先進的EDS幾何學設計(ji)，可提(ti)供高通(tong)量(liang)分析(xi)，實現(xian)自動原位(wei)實驗(yan)。
產品優勢
Sigma 360是分析(xi)測試平(ping)臺(tai)的(de)合(he)適(shi)之(zhi)選(xuan)，直觀的(de)圖像采集(ji)
從(cong)設置到(dao)獲取基于(yu)人工智能的(de)結果，均提供專(zhuan)業向(xiang)導(dao)，為您(nin)保駕護航，助您(nin)探索(suo)直觀成像(xiang)工作(zuo)流(liu)。
可在1 kV和更低電壓下分辨差異(yi)，實現更高(gao)的(de)分辨率和對比度。
可在(zai)極端條件下(xia)執行可變壓力成(cheng)(cheng)像，獲(huo)得出色(se)的非(fei)導(dao)體成(cheng)(cheng)像結果。
直觀成像工作流為您指引方向
從設置到獲取基于人工智能的結果，每一步都清晰明了
即(ji)使(shi)(shi)您(nin)是(shi)新手(shou)用戶，也能輕松獲(huo)得專業結(jie)果。Sigma系列獲(huo)取(qu)圖像迅速，易于(yu)學習和使(shi)(shi)用的(de)工作流(liu)可節省培訓時間(jian)，簡化從導航到后期處理的(de)每個步驟，讓您(nin)如虎添(tian)翼。
蔡司(si)SmartSEM Touch中的軟(ruan)件(jian)自動化可助您(nin)完成導(dao)航、參數設置和圖像(xiang)采集等步驟(zou)。
接(jie)下來，ZEN core便可(ke)大顯身手(shou)：它(ta)配備(bei)針對(dui)具(ju)體任務的工具(ju)包，適用于(yu)后期處理。我們(men)十分(fen)(fen)推薦人工智能工具(ju)包，它(ta)可(ke)助您(nin)基于(yu)機器(qi)學(xue)習進行圖像分(fen)(fen)割。
將多(duo)模(mo)式實驗(yan)與(yu)Connect Toolkit相結合，或(huo)使用(yong)Materials應用(yong)程序分析顯(xian)微結構(gou)、晶(jing)粒尺寸(cun)或(huo)涂層厚度
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
增強的分辨率。優化的襯度
光學鏡筒(tong)是(shi)成像和分(fen)(fen)析(xi)性(xing)能的關鍵。Sigma配(pei)用蔡司Gemini 1電子光學鏡筒(tong)，可對任何樣(yang)品提供出色的成像分(fen)(fen)辨率，尤(you)其是(shi)在低電壓條件下。
Sigma 360的(de)(de)低電壓分(fen)辨率目前(qian)500 V時(shi)為1.9 nm。通過大(da)幅度(du)降低色差，1 kV時(shi)的(de)(de)分(fen)辨率已提升10%以上(shang)，可達1.3 nm。
現在成像(xiang)比以往任何(he)時候都輕松，無論是(shi)要求苛刻的樣品，還是(shi)在可變壓力（VP）模式下采(cai)用(yong)背散射(she)探測(ce)。
可在極端條件下執行可變壓力成像，獲得出色的非導體成像結果。
用于分析和成像的NanoVP lite模式
新NanoVP lite模式和新探測(ce)器很容易在(zai)電壓低(di)于5 kV時，從非(fei)導(dao)體中(zhong)輕松(song)獲取高(gao)質量數據。
這樣，就可增強(qiang)成(cheng)像(xiang)和X射線能(neng)(neng)譜(pu)分析(xi)的性(xing)能(neng)(neng)，提供更(geng)多表面敏感(gan)信息，縮(suo)短采集時間，增強(qiang)入(ru)射電子(zi)束流(liu)，提高能(neng)(neng)譜(pu)面分布分析(xi)速度。
aBSD1（環形背散(san)射電子探測器）或新(xin)一代C2D（級聯電流）探測器可(ke)確保在(zai)低電壓條(tiao)件下采集到出色圖像。
對聚苯乙(yi)烯(xi)樣品(pin)進(jin)行斷裂，以了解(jie)聚合物界面處的(de)裂紋(wen)形成和附(fu)著(zhu)力。Sigma 360，C2D，3 kV，NanoVP lite模式，樣品(pin)室壓力60Pa。
Sigma 560高通量分析，原位實驗自動化
對實(shi)體樣品進行高(gao)效分析(xi)：基(ji)于SEM的高(gao)速(su)和通用(yong)分析(xi)。
實現原位實驗(yan)自動(dong)化：無人(ren)值守測試的全(quan)集(ji)成實驗(yan)室。
可(ke)在低(di)于1 kV的條件(jian)下完(wan)成(cheng)要求苛刻的樣品(pin)成(cheng)像：采集完(wan)整的樣品(pin)信息。
對(dui)實體樣(yang)品(pin)進行高效分(fen)析
EDS：通用、高速，助您深入研究
Sigma 560的一流EDS幾何學設計可(ke)提高(gao)(gao)分析效率。兩個180°徑(jing)向(xiang)相(xiang)對的EDS端口確(que)保(bao)了即使在(zai)低電壓小束流條件下，也能實現高(gao)(gao)通量無陰影元素面(mian)分布。
樣(yang)品(pin)室的附加EBSD和WDS端口可進(jin)行除EDS外的分析。
不導電樣品也(ye)可以使(shi)用全新的NanoVP lite模式進(jin)行分析，并能(neng)獲得更強的信號和更高的對比度。
全新的aBSD4探測器(qi)可輕松實(shi)現表面形貌復(fu)雜樣品的圖(tu)像采集。
氧(yang)化鋁球體，在500 V表面信息敏感條件下高分(fen)辨(bian)成像，可(ke)以看到燒結顆粒的(de)表面梯度，某些梯度之間的(de)距(ju)離(li)僅為3 nm。Sigma 560，500 V，Inlens SE。
實現原位實驗自動化
無人值守測試的全集成實驗室
Sigma原位實驗室是一(yi)種全集成式解決方(fang)案，它(ta)可以(yi)不依(yi)賴操(cao)作人員，通過無人值(zhi)守的自動化工作流(liu)進行加熱和拉伸測試。
通過對納米級別(bie)的特征(zheng)進行3D分析(xi)進一步擴展您的工(gong)作流(liu)：執行3D STEM斷層成像或基于(yu)人工(gong)智(zhi)能的圖像分割。
新aBSD4可實(shi)(shi)現實(shi)(shi)時3D表面建模（3DSM）。
鋼原(yuan)位加(jia)熱(re)和(he)(he)拉伸(shen)實(shi)驗。同步執行SEM成(cheng)像和(he)(he)EBSD分析，以(yi)深入研究應力應變(bian)曲線。
對要求苛刻的樣品能夠輕松成像
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
在1 kV或甚(shen)至在500 V時實(shi)現信息量豐(feng)富的(de)成像(xiang)和(he)分(fen)析(xi)：Sigma 560的(de)低千伏分(fen)辨率(lv)500 V時為1.5 nm。
在新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測(ce)器
在(zai)可(ke)變壓(ya)力(li)下(xia)輕松(song)拍攝要求苛(ke)刻的樣(yang)品，加速電壓(ya)可(ke)低至3 kV。
正(zheng)在研究電子(zi)設備的您(nin)肯定希望(wang)保持清潔的工作環境。使用等離子(zi)清洗儀（強烈(lie)推薦）和可通(tong)過6英寸晶圓的新型大尺寸樣(yang)品交(jiao)換(huan)艙，防止您(nin)的樣(yang)品室受到污染。
以低電壓成(cheng)像(xiang)的碳(tan)納(na)米(mi)管（CNT）。Sigma 560，500 V，Inlens SE探測器。
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