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蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

專為高通量3D分析和樣品制備量身打造的FIB-SEM

蔡司雙束(shu)電(dian)鏡(jing)(jing)Crossbeam系(xi)列(lie)結合(he)了高分(fen)辨率(lv)場發射掃(sao)描電(dian)鏡(jing)(jing)（FE-SEM）的(de)出色成像(xiang)和分(fen)析性能(neng)，以及新一(yi)代(dai)聚焦離(li)子(zi)束(shu)（FIB）的(de)優(you)異加(jia)工能(neng)力。無論(lun)是用于多(duo)用戶實(shi)驗平臺，還是科研或工業實(shi)驗室， 利用Crossbeam系(xi)列(lie)模塊(kuai)化的(de)平臺設計(ji)理念，您(nin)可(ke)基于自(zi)身需求隨時(shi)升級儀器系(xi)統（例如(ru)使用LaserFIB進行(xing)大(da)規模材料加(jia)工）。在加(jia)工、成像(xiang)或是實(shi)現三維重構分(fen)析時(shi)，Crossbeam系(xi)列(lie)將(jiang)大(da)大(da)提升您(nin)的(de)聚焦離(li)子(zi)束(shu)（FIB）應用效率(lv)。

使(shi)您的掃描電鏡（SEM）具備強(qiang)大的洞察力

提升您的聚集離子(zi)束（FIB）樣品制備效率

在您的(de)雙束電鏡（FIB-SEM）分析(xi)中體驗(yan)出色的(de)三維(wei)空間(jian)分辨(bian)率

產品優勢

使您的掃描電鏡具備強大的洞察力

通過樣(yang)品臺減速技術（Tandem decel，新型(xing)蔡司Gemini電子光學系統的(de)一項功(gong)能）實現低電壓電子束(shu)分(fen)辨率提升(sheng)高(gao)達(da)30%。

使用(yong)Gemini電子光學系統，您可以從(cong)高分辨率(lv)掃描電鏡(jing)（SEM）圖像(xiang)中獲(huo)取真實(shi)的樣品信息(xi)。

在進行(xing)高度靈敏表面二(er)維(wei)成像(xiang)或三維(wei)斷層成像(xiang)時，您可以(yi)信賴蔡司雙束電鏡(jing)Crossbeam系列的性能。

即使在(zai)使用(yong)非常低(di)的加速電(dian)壓(ya)時也可獲得高分辨(bian)率、高對(dui)比度和高信噪(zao)比的清晰圖像。

借助一系(xi)列的探測器實(shi)現樣品的全方位(wei)表(biao)征；使用獨特的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成(cheng)分(fen)襯度。

使用低電(dian)壓表征不導電(dian)樣品(pin)，消除荷電(dian)效(xiao)應的影(ying)響。

提升您的聚焦離子束（FIB）樣品制備效率

得益于智能(neng)聚焦離子(zi)束(shu)（FIB）的掃描(miao)策略，移除材(cai)料相比(bi)以(yi)往(wang)實驗快40%以(yi)上(shang)。

鎵離子FIB鏡(jing)筒Ion-sculptor采用了全(quan)新的(de)加工方式：盡可能減(jian)少樣品損傷，提(ti)升樣品質量，從而加快實驗進程。

使用高達100 nA的離子束束流(liu)，高效而精(jing)確地處理樣品，并(bing)保持高分辨率(lv)。

制備TEM樣(yang)品(pin)時，請使用鎵(jia)離子FIB鏡筒(tong)Ion-sculptor的(de)低(di)電壓功能：獲得超薄樣(yang)品(pin)的(de)同時，盡可能降低(di)非(fei)晶(jing)化損(sun)傷。

在您的雙束電鏡分析中體驗出色的三維空間分辨率

體驗整合的(de)三(san)維能譜和EBSD分(fen)析(xi)所帶(dai)來的(de)優勢。

在切割、成(cheng)像或執行(xing)三(san)維(wei)分析(xi)時(shi)，Crossbeam系(xi)列將提升您(nin)的(de)FIB應(ying)用(yong)效(xiao)率。

使(shi)用先進的(de)快速精準三維成像及分析軟硬件包(bao)——Altas 5來擴(kuo)展您的(de)Crossbeam性(xing)能。

使用Atlas 5中集成的三(san)維分(fen)析模(mo)塊(kuai)可在三(san)維斷(duan)層(ceng)成像過程中進行EDS和EBSD分(fen)析。

雙束電鏡的(de)(de)(de)斷層成像(xiang)可獲得優異的(de)(de)(de)三(san)維空(kong)間分辨率和各向(xiang)同性的(de)(de)(de)三(san)維體素尺寸；使用(yong)Inlens EsB探(tan)測器探(tan)測小(xiao)于(yu)3 nm的(de)(de)(de)深度，可獲得極表面的(de)(de)(de)材料成分襯(chen)度圖像(xiang)。

在加工過程中收集(ji)連續切片圖像以(yi)節省時間；精確的體素(su)尺寸(cun)和自動(dong)流程保證圖像質量。